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HIP装置が、精密な1450℃および100 MPaの圧力制御を通じて、ダイヤモンド・SiC複合材料の反応性合成を可能にする方法をご覧ください。
NCM811および硫化物電解質の高密度化において、ひび割れを防ぎイオン伝導性を確保するために、精密な圧力制御が不可欠である理由を学びましょう。
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