知識 BT-BNTセラミックスにコールド等方圧プレスが使用されるのはなぜですか?相対密度94%を達成し、高い電気的安定性を実現
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技術チーム · Kintek Press

更新しました 4 days ago

BT-BNTセラミックスにコールド等方圧プレスが使用されるのはなぜですか?相対密度94%を達成し、高い電気的安定性を実現


コールド等方圧プレス(CIP)は、BT-BNTセラミックグリーンボディに均一な全方向高圧(通常約200 MPa)を印加するために使用されます。このプロセスは、初期の軸方向プレスに続く重要な二次処理として機能し、一方向プレスでは解決できない内部密度勾配や微細孔を除去するように特別に設計されています。

コールド等方圧プレスを使用する中心的な目的は、加熱前にセラミック粉末の密度を均質化することです。グリーンボディが相対密度94%を超える均一な構造を持つことを保証することにより、CIPは焼結中の変形を防ぎ、最終材料の電気的安定性を保証します。

一軸プレス(ユニフォープレス)の限界

CIPが必要な理由を理解するには、まず初期成形プロセスの限界を理解する必要があります。

内部密度勾配

標準的な軸方向(一軸)プレスでは、力は1つまたは2つの方向(上下)から印加されます。粉末と金型壁との間の摩擦により、応力分布が不均一になります。

結果として生じる欠陥

この不均一な応力は密度勾配につながり、セラミックの端部が中心部よりも高密度になることがあります。これを修正せずに放置すると、これらの勾配は高温焼結段階中に材料が不均一に収縮する原因となります。

コールド等方圧プレス(CIP)の仕組み

CIPは、力の印加方法の物理学を変更することにより、軸方向プレスの不規則性を修正します。

等方性圧力印加

剛性ダイとは異なり、CIPはグリーンボディ(柔軟な金型に封入された)を液体媒体に浸します。機械はこの流体を通して高圧を印加します。流体はあらゆる方向に均等に応力を伝達するため、セラミック粉末は均一な等方性圧縮力を受け取ります。

微細孔の除去

この全方向からの力は、グリーンボディ内の残りの微細孔を潰します。粒子を密に、均一に詰め合わせ、最終構造の弱点となる低密度ボイドを除去します。

BT-BNTセラミックスにおける重要な利点

特にBT-BNTセラミックスでは、「グリーン」(未焼成)状態から焼結製品への移行は不安定です。CIPは、高性能な結果に必要な安定性を提供します。

高い相対密度の達成

主要な参照によると、CIPは材料が相対密度94%以上を達成するのに役立ちます。高密度は重量だけではありません。機械的強度と耐久性の前提条件です。

焼結変形の防止

グリーンボディが均一な密度を持っている場合、焼結中に均一に収縮します。CIPは、材料内の異なる収縮率によって引き起こされる反り、ひび割れ、または歪みのリスクを軽減します。

電気的安定性の向上

BT-BNTのような機能性セラミックスでは、物理構造が性能を決定します。CIPは、内部ボイドや密度変動を除去することにより、材料が体積全体で一貫した電気的特性を持つことを保証します。

トレードオフの理解

CIPは高性能セラミックスに不可欠ですが、製造ワークフローに特定の複雑さを導入します。

プロセス効率 vs 品質

CIPは、通常、乾式プレス後に行われる追加の処理ステップです。単純な一軸プレスと比較して、総生産時間とコストが増加します。製造速度よりも材料の品質を優先する選択です。

形状の制限

CIPは高密度化には優れていますが、ゼロから複雑な幾何学的形状を作成するのにはあまり効果的ではありません。初期の軸方向プレスに依存して全体的な形状を定義します。初期形状が悪い場合、CIPは一般的にその形状を維持したまま収縮させ、幾何学的誤差を修正するのではなく、形状を維持します。

目標に合わせた適切な選択

CIPを実装するかどうかの決定は、材料要件の厳密さによって異なります。

  • 電気的性能が最優先事項の場合:ボイドは絶縁体または応力集中器として機能し、電気的安定性を損なうため、微細孔を除去するにはCIPを使用する必要があります。
  • 寸法精度が最優先事項の場合:焼結中の収縮が予測可能で均一であることを保証し、反りを防ぐために、密度を均質化するにはCIPを使用する必要があります。

標準的なプレスに固有の密度勾配を中和することにより、コールド等方圧プレスは、壊れやすい粉末コンパクトと、堅牢で高性能なセラミック部品との間の架け橋となります。

要約表:

特徴 一軸プレス コールド等方圧プレス(CIP)
圧力方向 一方向/軸方向 全方向(等方性)
密度均一性 可変(勾配あり) 高(均質)
多孔性 微細孔の可能性あり 最小限(ボイドを潰す)
相対密度 標準 > 94%
焼結結果 反り/ひび割れのリスクあり 均一な収縮
主な利点 形状定義 構造的および電気的安定性

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参考文献

  1. Takashi Tateishi, Takaaki Tsurumi. Fabrication of lead-free semiconducting ceramics using a BaTiO3-(Bi1/2Na1/2)TiO3 system by adding CaO. DOI: 10.2109/jcersj2.119.828

この記事は、以下の技術情報にも基づいています Kintek Press ナレッジベース .

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